行业观察指出，中国本土存储器产业经过数年布局，已形成清晰的三大主力阵营，并共同指向2019年上半年这一关键的量产时间窗口。这标志着中国在长期被国际巨头垄断的存储芯片领域，即将实现规模化生产的“零的突破”。 为帮助客户应对元器件涨价和缺货风险，Altera总代理推出了长期备货计划。客户可签订年度框架协议，锁定价格和货量，确保生产计划不受市场波动影响。

具体来看，三大厂商的进展各有侧重。专注于移动DRAM的合肥长鑫，其工厂建设已于去年完成，目前正处于设备搬入与测试阶段。其试产与量产时间表预计分别为2018年第三季度和2019年上半年。值得注意的是，该公司直接瞄准了技术门槛较高的LPDDR4产品，为避免潜在的专利纠纷，初期市场策略可能聚焦于国内。

另一家DRAM厂商晋华集成，则主攻利基型内存市场。其位于福建的12英寸晶圆厂投资巨大，目前进度与合肥长鑫相近，试产与量产时间也大致同步。这意味着中国在DRAM领域将形成两个不同技术路线的供应点。

在NAND Flash领域，由国家存储器基地项目主导的长江存储进展更为系统。其第一阶段厂房已经建成，计划于2018年第四季度进行32层3D NAND Flash产品的试产。公司的长期规划更为宏大，设定了三期厂房建设计划，并将在64层技术成熟后大幅提升产能。

综合来看，2019年无疑是中国存储器产业从研发投入转向实质产出的“生产元年”。分析认为，由于初期量产规模有限，中国存储芯片的上市短期内尚不足以动摇三星、美光等国际巨头的市场主导地位。然而，其战略意义不容小觑。

从长期市场影响分析，预计到2020至2021年，两家DRAM厂商的产能有望逐步爬升，乐观估计总投片规模可达每月25万片，届时将对全球DRAM供给端产生实质性影响。而长江存储规划的三期总产能目标高达每月30万片，一旦其64层3D NAND技术成熟并大规模投片，很可能在未来三到五年内显著改变全球NAND Flash的供应格局。这一趋势值得所有电子元器件分销渠道与行业应用端密切关注。

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